磁気抵抗RAM市場調査、規模、傾向のハイライト(予測2025―2037年)
世界の磁気抵抗RAM市場規模は2024年に58億米ドルと推定され、2037年末までに2,858億米ドルを超え、2025―2037年の予測期間中に35.0%のCAGRで成長すると予想されています。2025年には、磁気抵抗RAMの業界規模は78億米ドルに達すると見込まれます。
この業界は、電子機器の世界的な使用と採用の増加、ロボットの革新、およびデータ処理とストレージを改善する技術の進歩の結果として拡大しています。現在の経済情勢を踏まえ、日本電子情報技術産業協会(JEITA)の年次業界調査では、世界の電子情報技術生産が2022年に1%増加して3,4368億米ドル、2023年に3%増加して3,5266億米ドルになると予測されています。今後数年間、より高速で信頼性が高く、より効率的なメモリ ソリューションに対する需要が継続的に増加しているため、MRAM テクノロジの開発により、データ ストレージとアクセスに革命が起こると予想されています。
磁気抵抗RAM 市場を推進するもう 1 つの要因は、さまざまな分野で信頼性が高く、高速で、不揮発性のメモリ ソリューションに対する需要が高まっていることです。このため、MRAM は、信頼性が高く高速なパフォーマンスを必要とするラップトップやスマートフォンなどのデバイスに最適です。運転支援システムなどの最先端テクノロジ用の永続的なデータ ストレージを必要とする現代の自動車には 100 を超えるマイクロコントローラが搭載されており、自動車分野は MRAM のもう 1 つの重要な用途です。
磁気抵抗RAM市場: 主な洞察
基準年 |
2024年 |
予測年 |
2025-2037年 |
CAGR |
約35.0% |
基準年市場規模(2024年) |
約58億米ドル |
予測年市場規模(2037年) |
2,858億米ドル |
地域範囲 |
|
磁気抵抗RAM市場の域概要地
磁気抵抗RAM市場 – 日本の見通し
日本の磁気抵抗RAM市場は、2037年まで安定した成長を記録すると予想されています。磁気抵抗RAMの高速性、低消費電力、不揮発性の利点が、市場の顕著な拡大を牽引しています。業界の成長は、電子機器の需要増加、ロボット工学の進歩、データ処理とストレージの継続的な技術進歩などの要素によって効果的に推進されています。さらに、MRAMテクノロジーは、従来のテクノロジーよりも高速で信頼性が高く、効率的なメモリソリューションを提供することで、データアクセスとストレージを変革するのに適しています。また、消費電力が少なく、停電時でもデータを保持します。たとえば、東芝デバイス&ストレージ株式会社は、2024年2月に兵庫県姫路工場にパワー半導体バックエンド生産施設の建設を開始しました。この工場での量産は、2025年春に開始される予定です。
磁気抵抗RAM(MRAM)市場の拡大は、主にデータ処理とストレージを強化することを目的とした技術開発によって推進されています。企業がデータ集約型アプリケーションにますます依存するにつれて、より高速なアクセス時間、より高い効率性、および強化された信頼性を提供するメモリ ソリューションの必要性が高まっています。高速、低消費電力、不揮発性などの特別な利点を備えた磁気抵抗RAM は、これらの要求を満たし、DRAM やフラッシュなどの従来のメモリ テクノロジの優れた代替品となります。


サンプル納品物ショーケース

過去のデータに基づく予測
会社の収益シェアモデル
地域市場分析
市場傾向分析
市場傾向分析
北米市場予測
北米は、防衛や自動車産業を含むさまざまな産業で最先端のメモリ技術に対する需要が高まっているため、予測期間中に磁気抵抗RAM産業を48.5%のシェアでリードすると予想されています。たとえば、米国政府は2023年10月に、エネルギー効率の高いCMOS + MRAM技術に重点を置いたAIハードウェアを開発するために、パデュー大学が主導する21百万米ドルのイニシアチブを開始しました。エバースピンテクノロジーズ、ノースロップグラマン、主要な研究機関などの重要なパートナーとのコラボレーションは、4年間のプログラムの一部です。拡張性の向上、デバイスとアプリケーションの消費電力の削減、計算能力の高速化のニーズがこの需要を牽引しています。
米国は、民生用電子機器、自動車、ロボット工学分野の拡大と、防衛および航空宇宙分野の近代化支出の増加により、この地域の市場を支配しました。例えば、2023年に軍事費として9,160億米ドルを支出した米国は、軍事費が最も高い国のリストでトップになりました。これは、その年の世界規模の軍事費2.4兆米ドルの40%以上を占めました。
カナダには重要なテクノロジー企業が多数存在し、半導体メモリセグメントのインフラストラクチャが強固です。この業界は、特にコンシューマーエレクトロニクス、自動車アプリケーション、エンタープライズストレージセグメントで堅固です。重要な研究機関や技術革新センターの存在により、MRAMテクノロジーは前進し続けています。この地域の市場ポジションは、データセンター、AI、IoTアプリケーション向けの次世代メモリソリューションの作成に重点を置いていることでさらに強化されています。
APAC市場統計
アジア太平洋地域は、この地域のエレクトロニクスおよび半導体セクターの急成長と、この優位性の原因である消費者向けエレクトロニクス、自動車、および産業用アプリケーションでの MRAM の使用の増加により、予測期間中に安定した CAGR を経験すると予想されています。確立された製造スキルと主要な MRAM メーカーおよびインテグレーターの存在により、中国、日本、韓国などの国は、市場の成長に大きな役割を果たしてきました。
中国の製造業者は、MRAM を搭載したスマートウォッチなどの手頃な価格のオプションで市場に参入すると予想されています。中国の顧客の購買力の高まりも、特に 20 ~ 30 歳の年齢層の間で、MRAM 統合型デバイスの需要を押し上げています。MRAM は、コンピューティング、ロボット工学、エンタープライズ ストレージ、航空宇宙および防衛、モノのインターネット、ウェアラブル、ドローン、コンピューターなどのインテリジェント ロボットや電子機器の作成など、幅広い業界を変革する可能性があります。
デバイスのパフォーマンスと効率を高めるための MRAM などの高度なメモリ ソリューションの必要性は、インドの成長著しい家電製品および自動車産業によって推進されています。成長は、トップ メモリ メーカーの存在と技術革新に対する政府の支援によってさらに促進されています。この地域では AI、IoT、産業オートメーション技術の採用が拡大しており、MRAM などの信頼性が高くエネルギー効率に優れたメモリ ソリューションの需要がさらに高まっています。
磁気抵抗RAM市場のセグメンテーション
タイプ別 (STT、トグル)
STT セグメントは、2037 年までに 64.5% のシェアを獲得すると予測されています。STT-MRAM はトグル MRAM よりもコスト効率が高く、高密度と低消費電力という利点があります。不揮発性の特性により、データの耐久性が不可欠なアプリケーションで人気があります。さらに、通常は SRAM と同等の高速書き込みおよび読み取り速度を提供するため、高性能アプリケーションに有利です。このタイプの MRAM のアプリケーション範囲が拡大しているため、企業はエンドポイント デバイスの要件の変化に対応するために、より高度な製品を発売しています。
アプリケーション別 (コンシューマー エレクトロニクス、ロボティクス、自動車、エンタープライズ ストレージ、航空宇宙および防衛)
アプリケーションに基づくと、航空宇宙および防衛セグメントは 2037 年末までに注目すべきシェアを占める可能性があります。航空宇宙および防衛業界の磁気抵抗ランダム アクセス メモリ (MRAM) の市場支配は、これらの業界の独自の要件を満たすために MRAM テクノロジがいかに重要であるかを強調しています。市場のかなりの部分を占めるこれらの分野では、信頼性が高く、長寿命で、放射線耐性のある高温データ ストレージ ソリューションが必要です。防衛および航空宇宙アプリケーションにおける MRAM の需要の高まりは、放射線耐性マイクロチップの低電力バージョンなど、厳しい仕様を満たすように設計された製品の改善の重要性を浮き彫りにしています。過酷な条件に耐えられる高度なデータ ストレージ システムのニーズが、これらの業界での MRAM テクノロジの継続的な拡大を推進しています。
磁気抵抗RAM市場の詳細な分析には、次のセグメントが含まれます。
タイプ別 |
|
アプリケーション別 |
|

磁気抵抗RAM市場:成長要因と課題
磁気抵抗RAM市場の成長要因ー
- IoT およびウェアラブル技術の成長: MRAM の採用は、低消費電力で高性能なメモリ コンポーネントを必要とするウェアラブル エレクトロニクスおよび IoT デバイスの急激な拡大によって促進されています。これらのデバイスにとって、MRAM は消費電力が少なくパフォーマンスが優れているため、最適なメモリ オプションです。定期的にデータを収集して処理するデバイスの場合、10^12 回を超える書き込みサイクルに耐えられる MRAM の強力な耐久性により、長期的な信頼性も保証されます。情報を保存して効果的に機能する MRAM の能力は、頻繁に継続的にデータを収集して分析するこれらのデバイスに最適です。ウェアラブル技術がより一般的になり、IoT ネットワークが成長するにつれて、MRAM の需要も同時に増加すると予想されます。
- STT-MRAM 技術の重視: メモリ市場での競争力を高めるために、主要な MRAM 技術であるスピン トランスファー トルク (STT-MRAM) は常に改良されています。たとえば、最新のデバイスでは書き込み速度が 10 ナノ秒未満に達しており、STT-MRAM テクノロジの改善により、通常の MRAM と比較して書き込み速度が 1000 倍向上しています。STT-MRAM の耐久性も大幅に改善されており、最新のデバイスでは 10^16 サイクル以上書き込みが可能で、これは NAND フラッシュの 10^5 サイクルよりも大幅に長いです。SRAM と同等のサイズを維持する 1 Gb チップの開発により、STT-MRAM の密度も増加し、同じ物理スペースでより多くのデータを保存できるようになりました。データ センターやモバイル デバイスなど、スペースが限られているアプリケーションでは、この密度の増加が不可欠です。
- 防衛および航空宇宙分野の急速な発展: 世界中の政府支出の増加によってもたらされた航空宇宙および軍事産業の急速な発展により、創造的なメモリ ソリューションに対する認識と需要が高まることが期待されています。MRAM は、放射線耐性が高く、過酷な宇宙環境にも耐えられるため、航空宇宙アプリケーションで広く使用されています。さらに、MRAM は宇宙でも簡単に再プログラムできるため、必要に応じて何度でもシステムを再構成できます。こうした利点により、MRAM は FPGA ビットストリーム ストレージ、プロセッサ ブート、プログラム ストレージなどの宇宙ミッション アプリケーションに不可欠なものとなっています。米国企業の Everspin Technologies は 10 年以上にわたり、宇宙グレードの MRAM を開発してきました。
当社の磁気抵抗RAM市場調査によると、以下はこの市場の課題です。
- 製造コストが高い: 現在、MRAM は製造コストが高いため、NAND フラッシュなどのよく知られたメモリ オプションよりも製造コストが高くなっています。この高コストは、製造手順の複雑さと特殊な材料の必要性に起因しています。MRAM の競争力を高め、市場で広く採用されるためには、製造コストを削減する必要があります。この障害を克服し、MRAM をより手頃なメモリ オプションにするには、製造方法の改善、製造手順の迅速化、代替材料の調査に取り組む必要があります。
- 技術的な課題: MRAM テクノロジは、継続的な改善にもかかわらず、解決しなければならない技術的な課題に直面しています。一部のアプリケーションでは、SRAM よりも書き込み速度が遅い、NAND メモリと比較した場合の書き込み耐久性が制限されるなどの問題が深刻な障害となります。MRAM の潜在能力を最大限に引き出し、さまざまなユース ケースでその有用性を広げるには、書き込み耐久性、適切な速度、全体的なパフォーマンスの向上を目的とした研究開発イニシアチブを通じて、これらの技術的制約に対処する必要があります。MRAM は、これらの技術的問題に正面から取り組むことで、市場で競争力のあるメモリ ソリューションとしての地位を強化できます。



ニュースで
- 2024 年 8 月、Avalanche Technology は、航空宇宙および防衛向け Gen 3 STT-MRAM 製品スイートに 64Mb および 128Mb の密度が含まれるようになったと発表しました。新しい Gen 3 STT-MRAM デバイスが提供する利点には、高い信頼性と強化された放射線耐性などがあります。
- 2024 年 1 月、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) と工業技術研究院 (ITRI) は提携し、スピン軌道トルク磁気ランダム アクセス メモリ (SOT-MRAM) アレイ チップの作成に関する画期的な研究を実施しました。この SOT-MRAM アレイ チップは、スピン トランスファー トルク磁気ランダム アクセス メモリ (STT-MRAM) 製品のわずか 1% の消費電力で、メモリ設計における新しいコンピューティングを実証しています。
- 2025 年 1 月、大阪大学の研究者は、将来の計算メモリに使用できる電圧制御磁化スイッチング技術を開発しました。この最先端のテクノロジーにより、低エネルギーで不揮発性のデータ書き込み操作が可能になり、信頼性と安定性のあるメモリを必要とする今後のアプリケーションに拡張できるようになります。
磁気抵抗RAM 市場を席巻している企業:

地域および国際的なリーダー企業が、イノベーション、合弁事業、地理的成長を通じて、磁気抵抗RAM セクターの市場シェアを競っています。Everspin Technologies、Honeywell International Inc. などの大企業は、強力な流通ネットワークと徹底した研究開発スキルを活用して、民生用電子機器、自動車、産業、航空宇宙および軍事など、さまざまな業界で最先端の MRAM ソリューションを提供しています。
磁気抵抗RAM市場を支配する注目の企業
- TORC Robotics Inc.
º 会社概要
º 事業戦略
º 主要製品
º 業績
º 主要業績指標
º リスク分析
º 最近の展開
º 地域プレゼンス
º SWOT分析
- CROCUS NANO ELECTRONICS LLC
- SAMSUNG
- Avalanche Technology
- Everspin Technologies Inc
- Honeywell International Inc.
- Infineon Technologies AG
- Intel Corporation
- Numem Inc.
- NVE Corporation
- Toshiba Corporation
- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
- Renesas Electronics Corporation
関連レポート
レポートで回答された主な質問
質問: 磁気抵抗RAM 市場の成長に向けてより多くのビジネス機会を提供するのはどの地域ですか?
回答: 北米の磁気抵抗RAM業界は、2037年まで支配的な市場シェアを維持すると予想されています。
質問: 磁気抵抗RAM 市場で支配的な主要企業はどれですか?
回答: Toshiba Corporation、 Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited、 Renesas Electronics Corporationは、日本の主要プレーヤーの一部です。
質問: 磁気抵抗RAM市場の世界的な見通しは?
回答: 磁気抵抗RAM市場規模は2024年に58億米ドルでした。
質問: 日本の磁気抵抗RAM業界の規模はどのくらいですか?
回答: 日本の磁気抵抗RAM市場の最新動向には、磁気抵抗RAMの高速性、低消費電力、不揮発性の利点が含まれます。
質問: 日本の磁気抵抗RAM 市場の最新のトレンド/進歩は何ですか?
回答: 大阪大学の研究者は、将来の計算メモリに使用できる電圧制御磁化スイッチング技術を開発しました。この最先端技術により、低エネルギーで不揮発性のデータ書き込み操作が可能になり、信頼性が高く安定したメモリを必要とする今後のアプリケーションに拡張可能になります。