次世代メモリ市場調査規模とシェア、テクノロジー別 {不揮発性メモリ (MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、揮発性メモリ (ハイブリッドメモリキューブ、高帯域幅メモリ)}; ストレージタイプ (マス、埋め込み)。サイズ (200mm、300mm、450mm); エンドユーザー (企業、家庭用電化製品、自動車および輸送) - 世界の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2024 ～ 2036 年

Q: 次世代メモリ市場の成長に影響を与える課題は何ですか?

次世代メモリデバイスの安定性の欠如は、市場の成長を妨げると推定される主な要因の1つです。 Read More

Q: 次世代メモリ市場のセグメントは何ですか?

市場は、テクノロジー、ストレージタイプ、サイズ、最終用途産業、地域別にセグメント化されています。 Read More

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Global Next-Generation Memory Market TOC

Market Definition and Research Methodology
1. Market Definition and Segmentation
2. Assumptions and Acronyms
3. Research Objective and Methodology
Executive Summary
Industry Value Chain Analysis
Market Dynamics
1. Drivers
2. Challenges
3. Trends
4. Opportunities
Regulatory & Standards Landscape
Industry Risk Analysis
Technology Analysis
COVID-19 Impact on the Global Next-Generation Memory Market
Average Pricing Analysis
Cross Segmentation of Technology with Respect to End-Use Industry
Cross Segmentation of Storage Type with Respect to End-Use Industry
Cross Segmentation of Size with Respect to End-Use Industry
Feature Analysis
Competitive Positioning
Competitive Landscape
1. Samsung Electronics Co., Ltd.
2. Micron Technology, Inc.
3. Cypress Semiconductor Corporation
4. Everspin Technologies Inc.
5. NXP Semiconductors
6. KIOXIA Corporation
7. Intel Corporation
8. Avalanche Technology
9. IBM Corporation
10. Fujitsu Limited
11. Western Digital Corporation
12. CrossBar, Inc.
13. SK HYNIX INC.
Global Next-Generation Memory Market
1. By Value (USD Million)
2. Global Next-Generation Memory Market Segmentation Analysis 2020-2030
  1. By Technology
    1. Non-Volatile Memory
      1. Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
      2. Ferroelectric RAM (FRAM)
      3. Resistive Random-Access Memory (RERAM)
      4. 3D XPoint (Quantx & Optane)
      5. Nano RAM (NRAM)
      6. Others
    2. Volatile Memory
      1. Hybrid Memory Cube (HMC)
      2. High-Bandwidth Memory (HBM)
  2. By Storage Type
    1. Mass Storage
    2. Embedded storage
    3. Others
  3. By Size
    1. 200 mm
    2. 300 mm
    3. 450 mm
  4. By End-User
    1. Enterprises
    2. Consumer Electronics
    3. Automotive and Transportation
    4. Telecommunications
    5. Military and Aerospace
    6. Energy and Power
    7. Banking and Financial Services
    8. Healthcare
    9. Others
  5. By Region
    1. North America
    2. Latin America
    3. Europe
    4. Asia-Pacific
    5. Middle East & Africa
North America Next-Generation Memory Market
1. Market by Value (USD Million)
2. Market Segmentation:
  1. By Technology
    1. Non-Volatile Memory
      1. Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
      2. Ferroelectric RAM (FRAM)
      3. Resistive Random-Access Memory (RERAM)
      4. 3D XPoint (Quantx & Optane)
      5. Nano RAM (NRAM)
      6. Others
    2. Volatile Memory
      1. Hybrid Memory Cube (HMC)
      2. High-Bandwidth Memory (HBM)
  2. By Storage Type
    1. Mass Storage
    2. Embedded storage
    3. Others
  3. By Size
    1. 200 mm
    2. 300 mm
    3. 450 mm
  4. By End-User
    1. Enterprises
    2. Consumer Electronics
    3. Automotive and Transportation
    4. Telecommunications
    5. Military and Aerospace
    6. Energy and Power
    7. Banking and Financial Services
    8. Healthcare
    9. Others
  5. By Country
    1. United States
    2. Canada
Latin America Next-Generation Memory Market
1. Market by Value (USD Million)
2. Market Segmentation:
  1. By Technology
  2. By Storage Type
  3. By Size
  4. By End-User
  5. By Country
    1. Brazil
    2. Mexico
    3. Argentina
    4. Rest of Latin America
Europe Next-Generation Memory Market
1. Market by Value (USD Million)
2. Market Segmentation:
  1. By Technology
  2. By Storage Type
  3. By Size
  4. By End-User
  5. By Country
    1. United Kingdom
    2. Italy
    3. France
    4. Germany
    5. Spain
    6. Russia
    7. Netherlands
    8. Rest of Europe
Asia Pacific Next-Generation Memory Market
1. Market by Value (USD Million)
2. Market Segmentation:
  1. By Technology
  2. By Storage Type
  3. By Size
  4. By End-User
  5. By Country
    1. China
    2. India
    3. Australia
    4. Japan
    5. South Korea
    6. Rest of Asia Pacific
Middle East & Africa Next-Generation Memory Market
1. Market by Value (USD Million)
2. Market Segmentation:
  1. By Technology
  2. By Storage Type
  3. By Size
  4. By End-User
  5. By Country
    1. GCC
    2. South Africa
    3. Israel
    4. Rest of Middle East & Africa

レポート: 1993 | 公開日: October, 2023

次世代メモリ市場調査、規模、傾向のハイライト(予測2024-2036年)

次世代メモリ市場規模は、2036年末までに1,320億ドルを超えると予想されており、予測期間中、つまり2024年から2036年の間に28%のCAGRで成長します。 2023 年の次世代メモリの業界規模は約 30 億米ドルでした。ユニバーサルメモリデバイスに対する需要の高まりは、このタイプのメモリに関連する多くの利点によって支えられており、市場の成長に起因していると考えられます。 2023 年から 2028 年にかけて、家庭用電化製品の保管ユニットの世界的な数量は、全体で 690 万個増加すると予想されます。 2028年には26億個になると予測されている。

さらに、ハイテクデバイスの需要の増加が、この地域の次世代メモリ市場の成長を促進する主な要因となっています。この地域の多くの国でインターネット利用の増加が観察されています。その結果、インターネットユーザーからは高度なコンピューティング製品に対する需要が高まっており、これが次世代メモリデバイスの生産につながります。国際電気通信連合 (ITU) の統計によると、アジア太平洋地域でインターネットを使用する人の数は、2005 年から 2019 年の間に 3 億 5,500 万人から 19 億 100 万人に増加しました。

次世代メモリ市場：主な洞察

基準年	2023年
予測年	2024-2036年
CAGR	~ 28%
基準年の市場規模（2023年）	～ 30億米ドル
予測年の市場規模（2036年）	～ 1,320億米ドル
地域の範囲	北米 (米国およびカナダ) ラテンアメリカ (メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ) アジア太平洋 (日本、中国、インド、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、その他のアジア太平洋) ヨーロッパ (イギリス、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ロシア、北欧、その他のヨーロッパ) 中東およびアフリカ (イスラエル、GCC 北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)

次世代メモリ市場の地域概要

北米市場予測

北米の次世代メモリ市場は、予測期間中に収益シェアの 35% を占めると予想されます。次世代テクノロジーとインフラストラクチャーの早期導入は、北米地域が主導してきました。米国では、IT が経済成長の重要な原動力となっています。技術の急速な進化と北米地域の各分野にわたるデータ量の増加に対処するために、より効果的な処理システムを開発する必要があります。米国のテクノロジー市場は世界経済全体の 35% を占めています。 2023 年、米国のテクノロジー部門は 5.4% 成長すると予測されています。米国には 585,000 社以上のテクノロジー企業があります。

APAC市場統計

アジア太平洋地域は、予測期間中に世界の次世代メモリ市場の約28%のシェアを保持すると予想されます。この地域は、この分野での主要な家庭用電化製品、特にスマートフォン、タブレット、ラップトップの導入の結果、力強い成長が見込まれています。報告書によると、2021 年までにアジア太平洋地域における携帯電話の使用率は 74% になり、今後 10 年間で 84% に増加すると予想されています。さらに、同年には携帯電話加入者の 62% が加入すると予想されます。

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サンプル納品物ショーケース

過去のデータに基づく予測

会社の収益シェアモデル

地域市場分析

市場傾向分析

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次世代メモリ市場のセグメンテーション

テクノロジー {不揮発性メモリ (MRAM、FRAM、ReRAM、3D XPoint、NRAM)、揮発性メモリ (ハイブリッドメモリキューブ、高帯域幅メモリ)}

不揮発性メモリセグメントは、予測期間中に世界の次世代メモリ市場の68%のシェアを保持すると予想されます。より優れ、より効果的で、より低コストのメモリソリューションに対する需要の増加は、市場におけるセグメントの成長に起因すると考えられます。スケーラビリティ、安定性、その他のパラメータに関する従来の不揮発性メモリデバイスの制限も、最新のメモリ技術の出現によって解消されました。データの世界的な蓄積により、大量のデータが生成されるため、大容量のより効率的なストレージソリューションの必要性が生じています。毎日、約 328,77 テラバイトのデータが生成されます。今年は約 120 ゼタバイトのデータが生成されます。不揮発性メモリの速度とパフォーマンスは、より高い記憶密度を備えた DRAM や SRAM などのフラッシュメモリテクノロジに匹敵します。 ReRAM および STT RAM PCM の場合。

ストレージタイプ (マス、埋め込み)

マスセグメントの次世代メモリ市場は、予測期間中に約52%の最大シェアを保持すると予想されます。これは、大容量ストレージがデータセンター、エンタープライズストレージシステム、家庭用電化製品、および高速アクセス速度と信頼性の高いデータ保持を備えた大容量を必要とするその他のアプリケーションで一般的に使用されているためです。データセンターは世界中に約 8,000 か所あります。人工知能は世界のデータセンター容量の約 20% に使用されています。

当社の世界市場の詳細な分析には、次のセグメントが含まれます。

テクノロジー	不揮発性メモリ MRAM フラムリラム 3D Xポイント NRAM 揮発性メモリハイブリッドメモリキューブ高帯域幅メモリ
ストレージの種類	質量埋め込み
サイズ	200 mm 300 mm 450 mm
エンドユーザー	企業家電自動車と輸送

次世代メモリ市場：成長要因と課題

成長の原動力

組み込みシステムおよびIoTデバイスにおける次世代メモリ技術の使用の増加 - MRAMやReRAMなどの次世代メモリは、低エネルギー消費で揮発性がなく、高性能の読み取りおよび書き込み速度を提供するため、組み込みシステムやモノのインターネットでの使用に適しています。 (IoT) デバイスは、従来のメモリをますます置き換えています。利用可能な最新のデータによると、接続されているモノのインターネットデバイスの数は約 151 億 4,000 万と推定されています。 2030 年までに、この数字は 2 倍以上の 294 億 2,000 万人になると推定されています。このメモリにより、インスタントン機能が有効になり、エネルギー効率が向上し、スマートデバイスのデータストレージが強化されます。
人工知能、ビッグデータ、機械学習、クラウドコンピューティングの採用の拡大 - 高帯域幅、低消費電力、大容量のスケーラブルなメモリに対する需要の高まりは、ビッグデータ、人工知能、機械学習、クラウドコンピューティングなど。毎日、約 2.5 京ビットのデータが作成されます。世界的なデータの 70% はユーザーが生成したクラウドコンピューティングのエンドユーザー支出であり、その額は年間約 5,000 億ドルに達します。
迅速なアクセスと低消費電力を可能にするメモリデバイスの需要の増加 - 企業内のデータ量の増加とクラウドストレージソリューションの人気により、大容量で高速ストレージメモリの人気が高まっています。先進的な製品の性能は向上し続けており、これが半導体産業の大部分を推進しています。メモリデバイスの高速化、低消費電力化、大規模化の要求に応える。 RRAM、MRAM、FeRAM、NRAM など、さまざまな新しい不揮発性メモリが作成されています。これらのテクノロジーは、従来のテクノロジーよりもスケール、密度、速度、耐久性に優れています。コマンド要求後、ほとんどの新しいメモリテクノロジでは、出力が指定された要件を満たすまでに 1 ～ 10 ナノ秒かかります。

課題

次世代メモリの製造コストは上昇し続けています - 現在、高密度 DRAM および SRAM の製造コストは非常に高くなっていますが、高ビット密度の次世代メモリの製造にも多額のコストがかかります。新世代のメモリ技術には、従来のメモリストレージ技術と比較して、より複雑な製造プロセスが一般的に含まれています。これらのプロセスには専門の機器、材料、専門知識の使用が必要となる場合があり、コストが高くなる可能性があります。次世代メモリ技術は、開発および製造の最初の段階での欠陥、プロセスの変動、材料上の課題などの問題の結果、生産歩留まりが低下する可能性があります。その結果、歩留まりが低いため、機能チップあたりのコストが高くなります。
メモリデバイスが熱衝撃にさらされる度合いが高ければ高いほど、メモリデバイスが損傷する可能性が高くなり、市場の成長が妨げられます。
標準化された生産プロセスの欠如による設計コストの上昇により、市場の成長が妨げられる可能性があります。

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ニュースで

SK Hynix Inc. は、現在業界最大の 24 ギガバイト 2 メモリ容量を備えた 12 層 HBM31 製品を業界で初めて開発しました。同社は2022年6月の世界初のHBM3の量産に続き、メモリ容量を従来品から50％増量した24GBパッケージ製品の開発に成功した。
Samsung は、次世代サーバーシステムのストレージ容量の拡張を可能にする第 8 世代垂直 NAND (V-NAND) チップの量産開始を発表しました。これらのチップは、業界最高のビット密度とストレージ容量を備えています。これらにより、組織は次世代エンタープライズサーバーのストレージ容量を拡張しながら、その使用を自動車市場にも拡張できるようになると期待されています。

次世代メモリ市場を支配する注目の企業

Intel Corporation
- 会社概要
- 事業戦略
- 主な製品内容
- 財務実績
- 主要業績評価指標
- リスク分析
- 最近の開発
- 地域での存在感
- SWOT分析
Honeywell International Inc.
Micron Technology, Inc.
Samsung Electronics Co., Ltd
SK Hynix, Inc.
Everspin Technologies, Inc.
Nanya Technology Corporation
Kingston Technology Corporation
Infineon Technologies AG
Crossbar Inc.