SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場調査―アプリケーション別（パワーエレクトロニクス、航空宇宙および防衛、自動車、コンシューマーエレクトロニクス、その他）ー世界の需要と供給の分析、成長予測、統計レポート 2025ー2037 年

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北米市場予測

北米はSiC-on-Insulatorフィルムの最大の市場の1つであり、2037年までに収益シェアの45.5％を占めると予測されています。急速に拡大している航空宇宙および自動車セグメントは、SiC-on-Insulatorフィルムの需要を急速に刺激しています。主要な市場プレーヤーによる研究開発活動への投資の増加と、高度な電力システムの生産を奨励する政府の支援政策は、市場全体の成長にさらに貢献しています。

米国では、地方政府が半導体および航空宇宙セグメントの発展に多額の投資を行っており、高度なSiC-on-Insulatorフィルムの需要にプラスの影響を与えると予想されています。これらのSiCOIフィルムは、これらのセグメントで最終製品の全体的なパフォーマンスを向上させるために使用されます。例えば、米国商務省は、中央政府（バイデン・ハリス政権）が半導体の高度なパッケージングの国内生産を確立および強化するために約16億米ドルを投資したことを明らかにしています。さらに、航空宇宙部品メーカーは、多額の投資を決断することで、製造施設の拡張を積極的に計画しています。これらの企業によるこのような動きは、今後数年間でSiC-on-insulatorフィルムの需要を直接的に増加させるです。例えば、GE Aerospaceは、2024年に生産ユニットとサプライチェーンに650百万米ドル以上を投資する計画を発表しました。

カナダも、通信分野での活動拡大により、SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の成長にプラスの貢献を示しています。例えば、カナダ電気通信協会は、カナダの電気通信セグメントが国内の接続性を強化するために2023年に114億米ドルの設備投資を実施したと明らかにしました。

APAC市場統計

アジア太平洋地域の SiC-on-insulator (SiCOI) フィルム市場は、予測期間中に急速に拡大すると予想されています。半導体製造活動の拡大、製造およびウェーハ技術の進歩、急速に発展する通信セグメントは、この地域の SiCOI フィルム製造業者にとって有利な機会を開くと予想されています。中国、インド、韓国、日本は、アジア太平洋地域で急成長している市場の一部です。

中国は電子機器の主要消費国の 1 つであり、チップおよび半導体技術の急速な進歩は、SiCOI フィルムの採用拡大に貢献しています。中国政府は、半導体製造セグメントを強化するために、2014 ―2030 年にかけて 1,500 億米ドルを超える投資を行っています。

インドで最も急速に拡大している電子機器システムの設計および製造セグメントと通信セグメントは、SiC-on-insulator フィルムを含む高度な電力材料の採用を推進しています。インド・ブランド・エクイティ財団によると、電子部品と半導体の製造促進計画の下、政府は約1.06百万米ドルを投資した。  

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場のセグメンテーション

アプリケーション別（パワーエレクトロニクス、航空宇宙および防衛、自動車、コンシューマーエレクトロニクス、その他）

パワーエレクトロニクスセグメントは、2037年までに世界市場シェアの31.4%を占めると予測されています。SiC-on-insulatorフィルムは、その高い熱伝導性と広いバンドギャップにより、モータードライブ、コンバーター、インバーターなどのパワーエレクトロニクスで主に使用されています。3.2 eVの広いバンドギャップを持つSiC-on-insulatorフィルムは、高温および高電力レベルでの動作に役立ちます。SiC-on-insulatorフィルム統合パワーエレクトロニクスは、従来のデバイスと比較してスイッチング損失が大幅に低減されるため、複数のソースからのエネルギーを管理するパワーコンバーターにとって不可欠です。また、ソーラーインバーターなどの再生可能エネルギー技術では、SiC-on-insulatorフィルムによりエネルギー抽出が最大化され、損失が低減されるため、システム全体のパフォーマンスが向上します。

ウェーハサイズ別（100 mm（4インチ）ウェーハ、150 mm（6インチ）ウェーハ、200 mm（8インチ）ウェーハ、300 mm（12インチ）ウェーハ）

300 mm（12インチ）SiCウェーハセグメントは、2025―2037年にかけて94.5％という大幅なCAGRで増加すると予想されています。このタイプのウェーハの需要が高いのは、表面積が大きくサイズが大きいため、生産性レベルが向上するためです。300 mm（12インチ）SiCウェーハは、トランジスタや集積回路の製造に使用されています。また、サイズが大きいため、コスト効率が向上し、複雑なデバイス設計構造の製造にも役立ちます。NAND（非AND）およびDRAM（ダイナミックランダムアクセスメモリ）フラッシュメモリのメーカーは、生産性を最大化するために300 mm（12インチ）SiCウェーハを主に使用しています。例えば、2022年7月、STMicroelectronicsとGlobalFoundries Inc.は、フランスのクロルに300mmウェーハ製造施設を運営するために協力しました。この協力は、自動車、産業、通信セグメントからの高い需要を満たすために、年間62万枚の300mmウェーハを生産することを目指しています。

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の詳細な分析には、次のセグメントが含まれます。