SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場調査、規模、予測、傾向、2037年

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場調査、規模、傾向のハイライト(予測2025-2037年)

世界のSiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場規模は2024年に47.9百万米ドルで、2037年末までに1945億米ドルに達すると予測されており、2025―2037年の予測期間中に89.5％のCAGRで拡大します。2025年には、SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルムの業界規模は90.7百万米ドルに達すると見込まれます。

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルムは、エネルギー効率の高いデバイス、ゲームコントロール、量子フォトニクス、オプトエレクトロニクスで幅広いアプリケーションを示しています。今後数年間、継続的な技術進歩により、SiCOI絶縁膜のアプリケーションが拡大すると予測されています。これらのフィルムは、パッシベーションコーティングや層の浸透/カプセル化など、オプトエレクトロニクストランジスタを含むオプトエレクトロニクスデバイスでいくつかの役割を果たします。例えば、世界のオプトエレクトロニックトランジスタ市場は、2036年までに年平均成長率20.1%で成長すると予測されています。これらの統計を考慮すると、オプトエレクトロニックトランジスタの需要増加は、SiC-on-insulatorフィルムの売上に直接影響を与えることになります。

SiC-on-insulatorフィルムはフォトニック集積回路を効果的に組み込んでおり、集積回路の製造に使用される製造プロセスである相補型金属酸化膜半導体（CMOS）処理と効果的に互換性のある強力なプラットフォームの形成につながります。また、SiC-on-insulatorフィルムは、優れた熱伝導性と高電圧および高温での動作能力で知られており、プリント回路基板で使用されるパワーエレクトロニクスなどの高性能製品に最適なコンポーネントとなっています。したがって、プリント回路基板製造におけるCMOSの使用の増加は、今後数年間でSiC-on-insulatorフィルムの売上にプラスの影響を与えることが予想されます。

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場: 主な洞察

基準年	2024年
予測年	2025－2037年
CAGR	約89.5%
基準年市場規模（2024年）	約47.9百万米ドル
予測年市場規模（2037年）	1945億米ドル
地域範囲	北米（米国、カナダ）ラテンアメリカ (メキシコ、アルゼンチン、その他のラテンアメリカ) アジア太平洋 (日本、中国、インド、インドネシア、マレーシア、オーストラリア、その他のアジア太平洋) ヨーロッパ (英国、ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、ロシア、北欧、その他のヨーロッパ) 中東およびアフリカ (イスラエル、GCC 北アフリカ、南アフリカ、その他の中東およびアフリカ)

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の域概要地

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場 – 日本の見通し

日本のSiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場は、パワーエレクトロニクス技術の進歩、半導体製造の改善、技術革新に対する政府の支援などの要因によって推進されると予想されています。例えば、日本の「統合イノベーション戦略2022」は、Society 5.0イニシアチブの達成に向けて大きな動きを見せています。日本は、2030年までに国内の量子技術ユーザーが約10百万人になると推定しており、これを達成するために、学術、産業、政府の組織は、研究から社会実装まであらゆるレベルで協力し、量子技術の利用を促進しています。さらに、SiC-on-insulatorフィルムは、その高い熱伝導率と誘電特性により、量子技術とデバイスでますます注目を集めており、その販売は急増すると予想されています。

日本の通信分野での高周波およびRFアプリケーションの需要の増加は、ベース材料としてのSiC-on-insulatorフィルムの使用を促進しています。また、効率的なパワーアンプを必要とする5G技術の採用増加も、SiCOIフィルムの優秀性を高めています。日本市場をリードする企業としては、日本ガイシ株式会社、サイコックス株式会社、住友電気工業株式会社、セラミックフォーラム株式会社、ロームセミコンダクターなどが挙げられます。

本レポートの詳細についてはこちら：無料サンプルをダウンロード

北米市場予測

北米はSiC-on-Insulatorフィルムの最大の市場の1つであり、2037年までに収益シェアの45.5％を占めると予測されています。急速に拡大している航空宇宙および自動車セグメントは、SiC-on-Insulatorフィルムの需要を急速に刺激しています。主要な市場プレーヤーによる研究開発活動への投資の増加と、高度な電力システムの生産を奨励する政府の支援政策は、市場全体の成長にさらに貢献しています。

米国では、地方政府が半導体および航空宇宙セグメントの発展に多額の投資を行っており、高度なSiC-on-Insulatorフィルムの需要にプラスの影響を与えると予想されています。これらのSiCOIフィルムは、これらのセグメントで最終製品の全体的なパフォーマンスを向上させるために使用されます。例えば、米国商務省は、中央政府（バイデン・ハリス政権）が半導体の高度なパッケージングの国内生産を確立および強化するために約16億米ドルを投資したことを明らかにしています。さらに、航空宇宙部品メーカーは、多額の投資を決断することで、製造施設の拡張を積極的に計画しています。これらの企業によるこのような動きは、今後数年間でSiC-on-insulatorフィルムの需要を直接的に増加させるです。例えば、GE Aerospaceは、2024年に生産ユニットとサプライチェーンに650百万米ドル以上を投資する計画を発表しました。

カナダも、通信分野での活動拡大により、SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の成長にプラスの貢献を示しています。例えば、カナダ電気通信協会は、カナダの電気通信セグメントが国内の接続性を強化するために2023年に114億米ドルの設備投資を実施したと明らかにしました。

APAC市場統計

アジア太平洋地域の SiC-on-insulator (SiCOI) フィルム市場は、予測期間中に急速に拡大すると予想されています。半導体製造活動の拡大、製造およびウェーハ技術の進歩、急速に発展する通信セグメントは、この地域の SiCOI フィルム製造業者にとって有利な機会を開くと予想されています。中国、インド、韓国、日本は、アジア太平洋地域で急成長している市場の一部です。

中国は電子機器の主要消費国の 1 つであり、チップおよび半導体技術の急速な進歩は、SiCOI フィルムの採用拡大に貢献しています。中国政府は、半導体製造セグメントを強化するために、2014 ―2030 年にかけて 1,500 億米ドルを超える投資を行っています。

インドで最も急速に拡大している電子機器システムの設計および製造セグメントと通信セグメントは、SiC-on-insulator フィルムを含む高度な電力材料の採用を推進しています。インド・ブランド・エクイティ財団によると、電子部品と半導体の製造促進計画の下、政府は約1.06百万米ドルを投資した。

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場のセグメンテーション

アプリケーション別（パワーエレクトロニクス、航空宇宙および防衛、自動車、コンシューマーエレクトロニクス、その他）

パワーエレクトロニクスセグメントは、2037年までに世界市場シェアの31.4%を占めると予測されています。SiC-on-insulatorフィルムは、その高い熱伝導性と広いバンドギャップにより、モータードライブ、コンバーター、インバーターなどのパワーエレクトロニクスで主に使用されています。3.2 eVの広いバンドギャップを持つSiC-on-insulatorフィルムは、高温および高電力レベルでの動作に役立ちます。SiC-on-insulatorフィルム統合パワーエレクトロニクスは、従来のデバイスと比較してスイッチング損失が大幅に低減されるため、複数のソースからのエネルギーを管理するパワーコンバーターにとって不可欠です。また、ソーラーインバーターなどの再生可能エネルギー技術では、SiC-on-insulatorフィルムによりエネルギー抽出が最大化され、損失が低減されるため、システム全体のパフォーマンスが向上します。

ウェーハサイズ別（100 mm（4インチ）ウェーハ、150 mm（6インチ）ウェーハ、200 mm（8インチ）ウェーハ、300 mm（12インチ）ウェーハ）

300 mm（12インチ）SiCウェーハセグメントは、2025―2037年にかけて94.5％という大幅なCAGRで増加すると予想されています。このタイプのウェーハの需要が高いのは、表面積が大きくサイズが大きいため、生産性レベルが向上するためです。300 mm（12インチ）SiCウェーハは、トランジスタや集積回路の製造に使用されています。また、サイズが大きいため、コスト効率が向上し、複雑なデバイス設計構造の製造にも役立ちます。NAND（非AND）およびDRAM（ダイナミックランダムアクセスメモリ）フラッシュメモリのメーカーは、生産性を最大化するために300 mm（12インチ）SiCウェーハを主に使用しています。例えば、2022年7月、STMicroelectronicsとGlobalFoundries Inc.は、フランスのクロルに300mmウェーハ製造施設を運営するために協力しました。この協力は、自動車、産業、通信セグメントからの高い需要を満たすために、年間62万枚の300mmウェーハを生産することを目指しています。

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の詳細な分析には、次のセグメントが含まれます。

基質別	シリコン（Si）基板シリコンカーバイド（SiC）基板サファイア基板その他
ウェーハサイズ別	100 mm（4インチ）ウェーハ 150 mm（6インチ）ウェーハ 200 mm（8インチ）ウェーハ 300 mm（12インチ）ウェーハ
技術別	スマートカットテクノロジー研削/研磨/接着テクノロジー
アプリケーション別	パワーエレクトロニクス航空宇宙および防衛自動車民生用電子機器その他

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場：成長要因と課題

SiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場の成長要因ー

SiCOI半導体製造におけるイノベーション：ウェーハ接合やエピタキシャル成長などの製造技術の進歩は、SiC-on-Insulatorフィルムの性能と拡張性の向上に大きく貢献しています。ウェーハ接合技術により、薄いSiC層を絶縁体に統合できるため、必要な材料のサイズが小さくなり、コスト削減につながります。SiC-on-Insulatorフィルムを組み合わせた半導体は、電子機器の性能も向上させます。

例えば、2024年9月、レゾナックホールディングス株式会社は、パワー半導体のSiCエピタキシャルウェーハとして使用される200mm（8インチ）シリコンカーバイド（SiC）接合基板を共同生産するための戦略的パートナーシップ契約をソイテックと締結しました。レゾナックホールディングス株式会社の高品質SiC単結晶基板をソイテックの基板接合技術を使用して組み合わせることで、8インチSiCウェーハの生産性が向上し、SiCエピウェーハ取引のサプライチェーンが拡大しました。

5GおよびIoTデバイスでの接続性を高め、データ交換を促進するためのSiC-on-Insulatorフィルムの高使用：SiC-on-Insulatorフィルムは、今後数年間で5Gやモノのインターネット（IoT）などの無線通信でのアプリケーションが増加すると見込まれています。SiC-on-Insulatorフィルムの統合により、5Gテクノロジーでの接続性が向上し、データ交換が迅速になります。IoTデバイスは相互に接続されており、効果的な通信と情報伝送にはSiC-on-Insulatorフィルムなどの信頼性の高いテクノロジーが必要です。したがって、製造セグメントにおける5G通信テクノロジーとIoTデバイスの需要の高まりにより、近い将来、SiC-on-Insulatorフィルムメーカーの収益シェアが増加すると予測されています。

当社のSiC-on-Insulator (SiCOI) フィルム市場調査によると、以下はこの市場の課題です。

信頼できる情報の欠如: SiC-on-insulator フィルムは新興技術であり、多くの研究者がまだその潜在的なアプリケーション、重要性、限界について研究しています。SiC-on-insulator フィルムに関する研究、認識、知識の不足により、エンドユーザーはその使用やトレンドに踏み切れません。また、信頼できるデータの入手性が低いため、SiC-on-insulator フィルムの結果の正確性に疑問が生じ、その真の市場の可能性を理解することが困難になっています。したがって、情報不足により、SiC-on-insulator フィルムの使用がある程度制限される可能性があります。
高い製造コスト: SiC-on-insulator フィルムの製造技術に関連する複雑さは、市場参加者にとって大きな課題となっています。SiC-on-insulator フィルムの製造には、シリコンカーバイドなどの高度な材料や、レイヤーカットやイオンカットなどの技術が必要であり、全体的な製造コストが増加します。